用于减少非易失性存储器中的状态分布的展宽的擦除和编程技术

摘要

给出了用于存储器器件中以通过降低状态分布中的展宽来改进可靠性和耐用性的技术，这发生在多个写/擦除循环之后。一组技术使用预调节操作，其中可以包括编程和温和擦除的脉冲序列被施加到一条或多条字线，同时在字线方向、位线方向或这两者上施加电压差。另一组技术使用双脉冲或者多脉冲编程处理，其中在一对的第一脉冲中使用增加的字线到字线差。