退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN103904175B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201410158350.0
发明设计人 甄爱功;马平;张勇辉;田迎冬;郭恩卿;王军喜;李晋闽;
申请日2014-04-18
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:42:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-07-06
授权
2014-07-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20140418
实质审查的生效
2014-07-02
公开
机译: 具有光子晶体结构的发光二极管的制造方法,该光子晶体结构提高了光子效率
机译: 使用光子晶体波导结构的光子晶体偏置
机译: 半导体光子晶体波导结构和使用相同结构的半导体光子晶体器件
机译:具有腔波导结构的中红外光子晶体平板中超快全光切换的高Q值聚苯乙烯非线性腔的设计
机译:具有波导结构的电光子晶体的群速度调制
机译:具有混合光子晶体和常规波导结构的超紧凑型高效偏振分束器
机译:具有光子晶体结构的GaAs发光二极管对GaAs发光二极管外部量子效率的提高
机译:从具有非侵入性二维光子晶体的氮化镓基发光二极管提取光。
机译:具有石墨烯透明电极的光子晶体GaN发光二极管的性能增强
机译:使用具有光子止动带的三维非封闭胶体光子晶体的白色发光二极管的CCT-和CLI调整
机译:单模光子晶体纳米腔发光二极管的超快直接调制