首页> 中国专利> 过电压吸收电路及单相Heric逆变拓扑

过电压吸收电路及单相Heric逆变拓扑

摘要

本申请提供了一种过电压吸收电路及单相Heric逆变拓扑,该过电压吸收电路可应用于单相Heric逆变拓扑中,该过电压吸收电路包括:钳位电容、吸收电阻、第一二极管和第二二极管;其中:钳位电容的一端和吸收电阻的一端,均与单相Heric逆变拓扑中的两横管的发射极相连;钳位电容的另一端和吸收电阻的另一端,均与第一二极管的一端和第二二极管的一端相连;第一二极管的另一端与两横管中的一个横管的集电极相连;第二二极管的另一端与两横管中的另一个横管的集电极相连。相较于现有的过电压吸收电路,本申请示出的电路的吸收效果大于吸收损耗,且不会出现电阻发热严重的现象,避免了因电阻发热严重导致的系统转换效率低的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN210608913U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 阳光电源(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201921360218.2

  • 发明设计人 张鹏;

    申请日2019-08-21

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人钱娜

  • 地址 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路887弄78号4楼

  • 入库时间 2022-08-22 14:10:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-22

    授权

    授权

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号