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一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器

摘要

本实用新型公开了一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器,包括差速传感器本体、硅差压芯片安装仓和硅差压芯片保护压盖,所述差速传感器本体的顶部安装有硅差压芯片安装仓,所述硅差压芯片安装仓内部的两端皆设置有滑槽,且滑槽通过滑块安装有缓冲板,所述缓冲板的顶部安装有PCB板,且PCB板顶部的中间位置处安装有硅差压芯片。本实用新型安装有第一弧形保护胶圈、第二弧形保护胶圈和橡胶连接柱,第二弧形保护胶圈盖合于高压入口下方,可防止外界水汽进入硅差压芯片安装仓内,装置使用较长时间,第二弧形保护胶圈产生形变后,第一弧形保护胶圈也可有效遮挡住水汽,避免水汽与硅差压芯片接触,对硅差压芯片起到双重保护效果。

著录项

  • 公开/公告号CN210513514U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-05-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉新辰科技有限公司;

    申请/专利号CN201921886041.X

  • 发明设计人 武安心;刘现中;

    申请日2019-11-05

  • 分类号

  • 代理机构北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人傅海鹏

  • 地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷SBI创业街特1号1楼A11-480室

  • 入库时间 2022-08-22 13:53:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-12

    授权

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