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公开/公告号CN210221750U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-03-31
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院金属研究所;
申请/专利号CN201920689974.3
发明设计人 张宏阳;王景丽;蔡静;王健;张重远;
申请日2019-05-15
分类号
代理机构沈阳晨创科技专利代理有限责任公司;
代理人张晨
地址 110015 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
入库时间 2022-08-22 13:01:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-31
授权
机译: 进气V型缺口评估方法,进气V型缺口处理方法和进气V型缺口评估装置
机译: 带温度控制的上样装置-用于带缺口的冲击试样,该试样被加热至所需温度并用锤子击打
机译: 缺口冲击弯曲试验的试样生产方法-通过热缩配合将燕尾形截面作为标准试样并带芯冷却
机译:利用局部能量从U型缺口试样和带有端孔的V型缺口合成聚甲基丙烯酸甲酯数据
机译:V型缺口巴西圆盘试样在混合模式载荷下的缺口形状因子的大量数据
机译:倾斜双缺口剪切试验的V型缺口剪切试样
机译:从全尺寸认证的参比夏比V型缺口试件制备的亚尺寸夏比V型缺口试样的冲击表征
机译:承受冲击载荷的单边缘缺口弯曲试样的三维非弹性响应。
机译:在连续血糖监测中注意缺口:一种修复缺口以实现更精确的血糖测量的方法
机译:在商用反应堆腔中以{约} 30°C至1 x 10 {sup 16}中子/ cm {sup 2}照射的结构钢试样的夏比V型缺口冲击试验结果
机译:次级夏比V型缺口型试样的冲击试验