公开/公告号CN209859944U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-12-27
原文格式PDF
申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;
申请/专利号CN201920726667.8
发明设计人 范聪聪;
申请日2019-05-20
分类号
代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人成丽杰
地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
入库时间 2022-08-22 11:58:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-27
授权
授权
机译: 硅锗牺牲层形成半导体器件精细图形的方法及同一图形形成方法自对准接触的形成方法
机译: 避免自对准接触孔中导电层图形和导电图形泄漏电流或短路的半导体器件的形成方法
机译: 具有相同对准的激光对准监视保险丝结构和半导体器件以及对准对准的激光对准电路