对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法，制造方法包括：沿第一方向排列的至少两个标准图形区，每一标准图形区包括至少两个分立的子图形区，在沿所述第一方向上，每一所述标准图形区中相邻所述子图形区之间的距离为第一距离，相邻所述标准图形区之间的距离为第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离；遮挡图形，所述遮挡图形位于相邻所述标准图形区之间，且所述遮挡图形与相邻所述标准图形区之间具有间隙。本发明能够减小对准图形中空旷区域的面积，避免由于刻蚀残留物导致的缺陷问题，从而改善对准质量。