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高性能带正电的复合膜及其在纳滤法中的用途

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本发明涉及带正电的纳滤(NF)膜，其包含基于磺化的聚合物的基底层(S)和在所述基底上的带正电的薄膜层(F)，并且涉及其制备方法。此外，本发明涉及利用所述复合膜的纳滤法。

著录项

公开/公告号CN104245102B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-22

原文格式PDF
申请/专利权人巴斯夫欧洲公司;新加坡国立大学;
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申请/专利号CN201380020398.9
发明设计人 M·韦伯;C·马莱茨科;B·特罗特;P·钟;泰-尚·钟;
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申请日2013-04-19
分类号
代理机构北京北翔知识产权代理有限公司;
代理人王媛
地址德国路德维希港
入库时间 2022-08-23 09:42:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-05

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B01D 69/12 授权公告日:20160622 终止日期:20180419 申请日:20130419

专利权的终止
2016-06-22

授权

授权
2016-06-22

授权

授权
2015-05-13

实质审查的生效 IPC(主分类):B01D69/12 申请日:20130419

实质审查的生效
2015-05-13

实质审查的生效 IPC(主分类):B01D 69/12 申请日:20130419

实质审查的生效
2014-12-24

公开

公开
2014-12-24

公开

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