首页> 中国专利> 一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法

一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法

摘要

本发明提供了一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法的技术方案,该方案利用对行扫描芯片的输出端进行分组控制,同时在低压管输入端加入钳位管和PN结电容,能够有效地降低在行扫描芯片高压并发动作的过程中由于穿通带来的高压电源大电流造成的EMI辐射。

著录项

  • 公开/公告号CN103377612B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川长虹电器股份有限公司;

    申请/专利号CN201310294497.8

  • 发明设计人 孙镇;黄勇;黄光佐;梁涛;

    申请日2013-07-15

  • 分类号

  • 代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司;

  • 代理人詹永斌

  • 地址 621000 四川省绵阳市高新区绵兴东路35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:42:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-21

    著录事项变更 IPC(主分类):G09G 3/28 变更前: 变更后: 申请日:20130715

    著录事项变更

  • 2016-06-15

    授权

    授权

  • 2016-06-15

    授权

    授权

  • 2013-11-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G09G3/28 申请日:20130715

    实质审查的生效

  • 2013-11-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G09G 3/28 申请日:20130715

    实质审查的生效

  • 2013-10-30

    公开

    公开

  • 2013-10-30

    公开

    公开

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