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一种新型的单相非隔离有源钳位MOSFET逆变器

摘要

本实用新型提供一种新型的单相非隔离有源钳位MOSFET逆变器,包括八个开关管、四个二极管和两个分裂电容。在H6拓扑逆变器的基础上增加了钳位电路,能够使共模电压保持恒定,适用于光伏并网系统。本实用新型电路可以有效的解决逆变环节中由于不采用变压器而造成的共模漏电流问题,同时由于续流阶段电流不流经体二极管,因此MOSFET器件可以使用,降低了由于IGBT器件关断时由于拖尾电流造成的关断损耗,且SiC二极管可以替代普通二极管,反向恢复的损耗可以得到很好的抑制。因此本实用新型电路能够有效的抑制共模漏电流,同时提高并网发电系统的效率。

著录项

  • 公开/公告号CN209516962U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-10-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201821617445.4

  • 发明设计人 肖文勋;胡建雨;张波;黄子田;

    申请日2018-09-30

  • 分类号

  • 代理机构广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人何淑珍

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-22 10:59:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-18

    授权

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