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公开/公告号CN209447848U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-09-27
原文格式PDF
申请/专利权人 兰州大学;
申请/专利号CN201820973656.5
发明设计人 彭应全;廖光萌;
申请日2018-06-25
分类号
代理机构
代理人
地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水南路222号兰州大学
入库时间 2022-08-22 10:48:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-27
授权
机译: 硅掺杂的砷化镓/砷化铟异质结OHMIC触点
机译: 异质结引脚光电二极管数据传输,即高速光学数据传输,具有由带隙高的p掺杂砷化铟铝制成的掺杂窗口层,以及由n或p掺杂的磷化铟制成的保护涂层
机译: 砷化镓锑化镓(GaAsSb)/磷化铟(InP)异质结双极晶体管(HBT)具有降低的隧穿概率
机译:深度可控的超浅铟镓锌氧化物/砷化镓异质结二极管
机译:二氧化钛/硫化锌铟异质结:一种用于染料敏化太阳能电池的高效光电阳极
机译:基于砷化镓(GaAs)衬底和共轭聚合物的高性能有机/无机杂化异质结
机译:基于磷化镓 - 氧化铟 - 砷化镓和铟 - 镓 - 抗衍生物的三结光伏电池效率改进
机译:在异质衬底上生长的基于砷化铟/锑化铟的基于砷化镓/砷化铝镓的异质结构场效应晶体管。
机译:基于钙钛矿/有机体异质结的超快速和宽带光电探测器用于大动态范围成像
机译:基于硅-砷化镓异质结的集成光耦合器结构
机译:砷化镓 - 砷化铝镓异质结和超晶格的深能级瞬态光谱研究