退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN209045576U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-06-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中山德华芯片技术有限公司;
申请/专利号CN201821861341.8
发明设计人 高熙隆;刘建庆;刘雪珍;宋欣慰;刘恒昌;
申请日2018-11-13
分类号
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人冯炳辉
地址 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
入库时间 2022-08-22 09:40:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-28
授权
机译: 具有晶格失配的缓冲结构的多结太阳能电池及其制造方法
机译: 具有晶格失配的GrIII-GrV-X层和成分分级的缓冲层的多结太阳能电池
机译:一种由珠光体型太阳能电池和异质结晶体硅太阳能电池组成的分光结构实现高效多结太阳能电池的方法
机译:多结太阳能电池和用于太阳能电池应用的新型结构
机译:量子点敏化太阳能电池的建模:从结构和振动特征到通过晶格失配界面的电子注入
机译:超高效晶格失配多结太阳能电池的设计方法和材料工艺
机译:多结太阳能电池的新型材料,网格设计规则和表征方法。
机译:糖多孢菌中一种新型的多结构域酰基辅酶A羧化酶为从头脂肪酸生物合成提供丙二酰辅酶A
机译:硅太阳能电池新型混合多结结构的研制。