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一种低电极电阻的晶体硅太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种低电极电阻的晶体硅太阳能电池,包括基板、晶体硅片和第二凹槽,所述基板内固定有竖栏和横栏,所述晶体硅片固定于光伏板的底部,且晶体硅片的下端面设置有P型层和N型层,并且P型层和N型层的底部分别安装有P区金属电极和N区金属电极,所述第二凹槽开设于基板的顶部边缘处,所述基板的底部设置有抗反射层,且基板的下端安装有储电室,且储电室内固定有蓄电池。该低电极电阻的晶体硅太阳能电池,通过设置的透明挡板和第二凹槽,方便对光伏板进行更换,通过P型层和N型层上安装的P区金属电极和N区金属电极,有效的降低了该太阳能电池的电极和电阻,提高了该太阳能电池的转换效率。

著录项

  • 公开/公告号CN208315580U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201820666601.X

  • 发明设计人 高振宇;

    申请日2018-05-07

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 314400 浙江省嘉兴市海宁市水月亭东路长田景苑42幢3号

  • 入库时间 2022-08-22 07:39:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-24

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/068 授权公告日:20190101 终止日期:20190507 申请日:20180507

    专利权的终止

  • 2019-01-01

    授权

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