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公开/公告号CN207799304U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学;
申请/专利号CN201721353418.6
发明设计人 吴晓君;戴军;方兆吉;
申请日2017-10-19
分类号
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人王莹
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
入库时间 2022-08-22 06:11:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-31
授权
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器
机译: 以及太赫兹波检测装置及其方法,以及利用太赫兹波产生半导体晶体的太赫兹波发生器,该晶体
机译:一种周期性极化铌酸锂晶体的窄带太赫兹波产生与检测
机译:极化铌酸锂晶体可产生多周期太赫兹脉冲
机译:一种具有与全向和热效应与太赫兹波相互作用的光子晶体结构的一种布置
机译:块状铌酸锂晶体中的高能多周期太赫兹脉冲产生
机译:窄带太赫兹脉冲的产生以及半导体量子阱中超快现象的太赫兹研究。
机译:干扰narrow脉冲的频谱相位控制可产生高能窄带太赫兹
机译:一种用于产生太赫兹辐射脉冲的新型装置
机译:新型太赫兹频谱仪,集成了广泛可调谐的单色太赫兹光源和探测器,或发射器和探测器阵列,带有光子带隙晶体