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公开/公告号CN207742588U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨理工大学;
申请/专利号CN201721712539.5
发明设计人 任明远;宋博尊;秦梦莹;
申请日2017-12-11
分类号
代理机构
代理人
地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
入库时间 2022-08-22 06:02:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-06
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G05F1/567 授权公告日:20180817 终止日期:20181211 申请日:20171211
专利权的终止
2018-08-17
授权
机译: 具有电流驱动能力和高阶温度曲率补偿的可缩放低输出阻抗带隙基准
机译: 具有电流驱动能力和高阶温度曲率补偿的可扩展低输出阻抗带隙基准
机译: 具有可编程增益的高精度,曲率补偿带隙基准电路
机译:具有自动曲率补偿技术的高精度带隙基准电压源
机译:适用于BMIC的4.6ppm /°C高阶曲率补偿带隙基准
机译:具有新型误差放大器的高阶曲率补偿带隙电压基准
机译:一种新型曲率补偿的高精度CMOS带隙基准
机译:具有高阶补偿技术的带隙基准
机译:具有高PSRR增强能力的180 nm自偏置带隙基准
机译:基于自适应参考温度的带隙电压基准曲率补偿技术
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)