公开/公告号CN207475520U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-06-08
原文格式PDF
申请/专利权人 杰夫微电子(四川)有限公司;
申请/专利号CN201721158683.9
发明设计人 孙霓;
申请日2017-09-11
分类号
代理机构成都华风专利事务所(普通合伙);
代理人徐丰
地址 610213 四川省成都市天府新区天府大道南段2039号天府菁蓉大厦501、506室
入库时间 2022-08-22 05:17:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-08
授权
授权
机译: SRAM存储器单元具有2个双通道FET,其栅极连接在一起以形成单元的位输入/输出,漏极形成工作电压输入,源极连接到位输入/输出
机译: 用于压电板的电连接装置,具有电压源,该电压源提供输入电压,该输入电压由板表面之间的间隙沿极化方向的厚度改变,以放大/减小提供给负载的输出电压
机译: 用于内燃机的等离子体产生装置,具有带有开关晶体管的周期性脉冲电压发生器和齐纳二极管,齐纳二极管连接在晶体管的漏极和源极之间,以限制漏极和源极之间的电压差