首页> 中国专利> 一种共振峰可调的表面等离子体共振传感器基底

一种共振峰可调的表面等离子体共振传感器基底

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本实用新型公开了一种共振峰可调的表面等离子体共振传感器基底，其特征在于，包括：周期型椭圆金纳米颗粒阵列以及平面光波导基底；所述周期型椭圆金纳米颗粒阵列置于平面光波导基底上；在可见光范围内，入射光从周期型椭圆金纳米颗粒阵列上方垂直入射，入射光偏振方向沿x轴方向，通过调节平面光波导基底的波导层厚度控制共振峰的数目，通过调节周期型椭圆金纳米颗粒阵列的沿y方向的周期P

著录项

公开/公告号CN207300883U

专利类型实用新型
公开/公告日2018-05-01

原文格式PDF
申请/专利权人安徽大学;
展开▼

申请/专利号CN201721107597.5
发明设计人刘瑜;吴杨生;裴霄翔;
展开▼

申请日2017-08-31
分类号
代理机构北京凯特来知识产权代理有限公司;
代理人郑立明
地址 230601 安徽省合肥市经济开发区九龙路111号
入库时间 2022-08-22 04:48:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-05-01

授权

授权

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种共振峰可调的表面等离子体共振传感器基底 [P] . 中国专利： CN207300883U . 2018.05.01
2. 一种共振峰可调的表面等离子体共振传感器基底 [P] . 中国专利： CN107367488A . 2017-11-21
3. STRUCTURE REPLICATION METHOD, LOCALIZED SURFACE PLASMON RESONANCE SENSOR CHIP MANUFACTURING METHOD INCLUDING THIS REPLICATION METHOD, STRUCTURE, LOCALIZED SURFACE PLASMON RESONANCE SENSOR CHIP, AND LOCALIZED SURFACE PLASMON RESONANCE SENSOR [P] . 世界知识产权组织专利： WO2014168237A1 . 2014-10-16

机译：结构复制方法，局部表面等离子体共振传感器芯片制造方法，包括该复制方法，结构，局部表面等离子体共振传感器芯片和局部表面等离子体共振传感器
4. SURFACE PLASMON RESONANCE SENSOR CHIP, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SURFACE PLASMON RESONANCE SENSOR SYSTEM, AND METHOD FOR DETECTING ANALYZED MATERIAL WITH SURFACE PLASMON RESONANCE SENSOR SYSTEM [P] . 韩国专利： KR100991563B1 . 2010-11-04

机译：表面等离子体共振传感器芯片，其制造方法，表面等离子体共振传感器系统以及利用表面等离子体共振传感器检测分析物的方法
5. SURFACE PLASMON RESONANCE SENSOR, SURFACE PLASMON RESONANCE SENSOR DEVICE USING THE SAME SENSOR, AND DETECTION METHOD USING THE SAME SENSOR [P] . 日本专利： JP2005257631A . 2005-09-22

机译：表面等离子体共振传感器，使用相同传感器的表面等离子体共振传感器装置以及使用相同传感器的检测方法