公开/公告号CN103965914B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-08
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201310028802.9
申请日2013-01-25
分类号
代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙);
代理人张静洁
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:40:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-06-08
授权
授权
2014-09-03
实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/08 申请日:20130125
实质审查的生效
2014-08-06
公开
公开
机译: 减少蚀刻后的n掺杂和非掺杂多晶硅栅极之间形貌差异的方法
机译: 半导体器件汽车交流发电机的一部分,具有P掺杂层和N掺杂层,其中填充了P掺杂的多晶硅,并且在基底区域中和/或P掺杂层之间的N掺杂部分提供了蚀刻沟槽。
机译: 使用氟取代烃和乙炔的混合物进行氧化物蚀刻工艺,该工艺对氮化物具有高选择性,适用于形貌不均的表面