基于单模‑拉制小芯单模‑单模光纤结构的传感器

摘要

本实用新型公开了一种基于单模‑拉制小芯单模‑单模光纤结构的传感器，包括：第一单模光纤；拉制小芯单模，其输入端与第一单模光纤的输出端熔接；拉制小芯单模光纤的表面附着超磁致伸缩材料层；第二单模光纤，其输入端与拉制小芯单模光纤的输出端熔接。本实用新型中，当超辐射发光二极管光源发出的光在第一单模光纤中传输，进入拉制小芯单模光纤中形成干涉，部分波长的光在其中形成波谷，而后进入第二单模光纤中继续传输，当带有超磁致伸缩材料层的拉制小芯单模光纤处于磁场环境中导致超磁致伸缩材料发生微小形变及波导折射率从而影响波导干涉条件变化，导致谐振波长的偏移，依据谐振波长的偏移量，获得磁场的变化量。