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公开/公告号CN206751920U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-12-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中国工程物理研究院应用电子学研究所;
申请/专利号CN201720527928.4
发明设计人 李文君;周霖;程云;冯真;李春霞;单李军;邓德荣;黎明;杨兴繁;
申请日2017-05-12
分类号
代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司;
代理人詹永斌
地址 621000 四川省绵阳市游仙区919信箱1013分箱
入库时间 2022-08-22 03:22:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-15
授权
机译: 微波等离子体化学气相沉积法生长金刚石的装置及其所用的衬底台
机译: 微波等离子体辅助化学气相沉积法在高温下高生长速率同质金刚石膜沉积
机译: 一种制备平坦的印刷基片的方法,该印刷基片将通过用于接收墨栅膜的印版来印刷
机译:微波等离子体增强化学气相沉积法在多晶金刚石厚膜上制备纳米晶金刚石膜
机译:微波等离子体化学气相沉积法在多晶金刚石厚膜上制备纳米晶金刚石膜
机译:微波等离子体化学气相沉积法制备纳米晶金刚石膜及其生物相容性
机译:微波等离子体化学气相沉积法在钛6铝4钒合金颞下颌关节假体上制备纳米晶金刚石薄膜。
机译:使用He / H2 / CH4 / N2气体混合物通过微波等离子体化学气相沉积法合成超光滑纳米结构金刚石膜
机译:微波等离子体增强化学气相沉积法沉积厚而薄的纳米晶金刚石膜
机译:微波等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅晶体薄膜