存储器结构单元的操作方法、数据读取方法及集成电路

摘要

本发明公开了一种相变化存储器结构单元的操作方法、数据读取方法及集成电路。该集成电路相变化存储器可以通过引入第一电阻态于一些结构单元及存储器中，及第二电阻态于一些其它的结构单元及存储器中，来被预编码，以代表一数据组。在编码数据组之后，此集成电路相变化存储器被安装在衬底上，然后通过感测第一及第二电阻态，数据组可被读取，并将第一电阻态的结构单元转变成第三电阻态，将第二电阻态转变成第四电阻态。在焊接或其它热循环程序之后，第一及第二电阻态仍保持在感测限度内。使用适用于电路任务功能的高速率及低功率，第三及第四电阻态具有导致过渡态的能力。