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InGaAs/Ge双结太阳能电池

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本实用新型涉及一种InGaAs/Ge双结太阳能电池。所述电池包括：Si衬底层，依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、InGaAs/Ge双结太阳能电池层、接触层、反射膜；所述Ge外延层中Ge为LRC晶体；其中，所述InGaAs/Ge双结太阳能电池层包括依次层叠于所述Ge外延层上的Ge基区、Ge发射区、Al

著录项

公开/公告号CN206650095U

专利类型实用新型
公开/公告日2017-11-17

原文格式PDF
申请/专利权人陕西学前师范学院;
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申请/专利号CN201621478203.2
发明设计人王颖;
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申请日2016-12-30
分类号
代理机构
代理人
地址 710100 陕西省西安市长安区神禾二路陕西学前师范学院
入库时间 2022-08-22 03:13:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-20

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/0735 授权公告日:20171117 终止日期:20181230 申请日:20161230

专利权的终止
2017-11-17

授权

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