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公开/公告号CN206584943U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-10-24
原文格式PDF
申请/专利权人 天津蓝天太阳科技有限公司;
申请/专利号CN201620853772.4
发明设计人 孟宪松;方亮;高伟;张宝;高慧;裴东;
申请日2016-08-05
分类号
代理机构天津盛理知识产权代理有限公司;
代理人赵熠
地址 300384 天津市南开区华苑产业区(环外)海泰华科七路6号太阳电池及控制器厂房二层
入库时间 2022-08-22 03:07:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-24
授权
机译: 单结层的四结倒相变质多结太阳能电池
机译: 具有四个区域的晶闸管-具有不同电导率的区域和具有低击穿电压的正向阻塞PN结
机译: 用于空间应用的四个结太阳能电池和太阳能电池组件
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的GaInNAs / Ge(1.10 / 0.67 eV)双结太阳能电池,用于高效四结太阳能电池应用
机译:格子匹配的四结串联太阳能电池,包括两个稀氮化物底部结
机译:具有电流匹配和量子效率仿真的新型高效四结太阳能电池
机译:通过分子束外延生长的锗太阳能电池,用于晶格匹配的四结太阳能电池
机译:具有电流匹配和优化量子效率的新型高效四结太阳能电池
机译:椭球状银纳米粒子增强顶电池的光电流:朝着电流匹配的GaInP / GaInAs / Ge三结太阳能电池
机译:使用InGaas / Gaasp量子阱将吸收阈值扩展到1.15eV,超过50%的晶格匹配四结太阳能电池
机译:用于Galnas(0.7-eV)四结太阳能电池的0.7-eV Galnas结