公开/公告号CN206209204U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市佶达德科技有限公司;
申请/专利号CN201621335673.3
申请日2016-12-07
分类号
代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王永文
地址 518109 广东省深圳市龙华新区大浪街道华宁路恒昌荣(星辉)科技园C栋4楼
入库时间 2022-08-22 02:33:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-31
授权
授权
机译: 一种半导体集成电路的制造方法,该方法包括:使用第一光掩模对半导体衬底进行图案化,该第一光掩模使用金属来阻挡光;使用第二光掩模对同一衬底进行图案化,该第二光掩模使用有机树脂来阻挡光。
机译: 一种半导体集成电路的制造方法,该方法包括:使用第一光掩模对半导体衬底进行图案化,该第一光掩模使用金属来阻挡光;使用第二光掩模对同一衬底进行图案化,该第二光掩模使用有机树脂来阻挡光。
机译: 一种半导体集成电路的制造方法,该方法包括:使用第一光掩模对半导体衬底进行图案化,该第一光掩模使用金属来阻挡光;使用第二光掩模对同一衬底进行图案化,该第二光掩模使用有机树脂来阻挡光。