首页> 中国专利> 基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑

基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑

摘要

本实用新型提供基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑。半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑中,半桥/单箝位混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6

著录项

  • 公开/公告号CN205960989U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华北电力大学;

    申请/专利号CN201620068893.8

  • 发明设计人 赵成勇;许建中;刘航;

    申请日2016-01-25

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号

  • 入库时间 2022-08-22 02:11:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H02M7/49 授权公告日:20170215 终止日期:20180125 申请日:20160125

    专利权的终止

  • 2017-02-15

    授权

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