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公开/公告号CN205812409U
专利类型实用新型
公开/公告日2016-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州信多达电器有限公司;
申请/专利号CN201620618577.3
发明设计人 高新忠;甘嵩;冯祥远;徐庆荣;薛敬振;
申请日2016-06-20
分类号H05B1/02(20060101);
代理机构
代理人
地址 311228 浙江省杭州市萧山区临江工业园区经六路2977号
入库时间 2022-08-22 01:58:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-12
专利权的转移 IPC(主分类):H05B1/02 登记生效日:20180918 变更前: 变更后: 申请日:20160620
专利申请权、专利权的转移
2016-12-14
授权
机译: 含有电磁干扰(EMI)减少材料和碳纳米管的EMI吸收剂材料
机译: 用于在功率转换器中减少辐射EMI的共模(CM)电磁干扰(EMI)滤波器
机译: 用于共模EMI减少的主动电磁干扰(EMI)滤波器
机译:电磁干扰(EMI):测量和减少技术
机译:使用有源EMI滤波器来减少逆变器产生的传导干扰
机译:用于减少传导干扰中的共模和差模噪声的EMI滤波器设计
机译:控制线性ECG记录的EMI干扰
机译:使用应用感知管理减少内存层次结构资源中的干扰。
机译:金属有机框架衍生Fe-N-C纳米结构作为钠离子电池的高性能电极和电磁干扰(EMI)屏蔽
机译:盘基蛋白结构域受体1通过Cdc42-Tuba途径控制线性入侵体的形成
机译:ITER TF冷结构的焦耳加热:垂直控制线圈电流和ELms的影响