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成像像素和具有多个成像像素的图像传感器

摘要

本实用新型涉及成像像素和具有多个成像像素的图像传感器,根据本公开的一个方面,提供了一种成像像素,包括:浮动扩散区;光电二极管;耦接到所述浮动扩散区和所述光电二极管的第一电荷存储区;以及耦接到所述浮动扩散区的第二电荷存储区,其中所述第二电荷存储区未耦接到所述光电二极管。根据本公开的实施例,可以提供改善的像素和图像传感器。

著录项

  • 公开/公告号CN205810813U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2016-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 半导体元件工业有限责任公司;

    申请/专利号CN201620773095.5

  • 发明设计人 T·格蒂斯;

    申请日2016-07-21

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人刘倜

  • 地址 美国亚利桑那

  • 入库时间 2022-08-22 01:58:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-14

    授权

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