科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN205231048U
专利类型实用新型
公开/公告日2016-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 宁波东盛集成电路元件有限公司;
申请/专利号CN201520996378.1
发明设计人 曾旭;吕淑英;龙先祖;杨丹;郭永华;黄春胜;
申请日2015-12-04
分类号
代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人杜军
地址 315800 浙江省宁波市北仑区大港三路51号
入库时间 2022-08-22 01:21:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-22
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L23/495 授权公告日:20160511 终止日期:20181204 申请日:20151204
专利权的终止
2016-05-11
授权
机译: 无半导体真空场效应晶体管制造和3D真空场效应晶体管阵列
机译: 平面真空场发射晶体管
机译: 具有平面端发射阴极的微真空场发射辐射器的制造方法
机译:真空场发射晶体管(VFET)和MOSFET的共同制造
机译:纳米晶金刚石真空场发射晶体管阵列的性能特征
机译:具有垂直配置的自对准栅极的掺氮纳米金刚石真空场发射晶体管
机译:通过等离子体后处理工艺增强金刚石/ CNTs材料的电子场发射行为,用于三极管型真空场发射晶体管
机译:纳米晶金刚石横向真空场发射器件的开发。
机译:显示了与角度无关的极化子发射寿命由Per与Fabry–Pérot内部的真空场杂交腔数
机译:发行商注意:通过将真空场塑造在耦合腔系统中的真空场PHY来控制量子发射器的电磁环境控制物理。 Rev. A91,063807(2015)
机译:一种测量导电镜附近的调幅真空场的方法