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注入锁定Q开关高功率单纵模激光器

摘要

本实用新型涉及一种注入锁定Q开关高功率单纵模激光器,包括第一激光发射器(1)、第一Q开关(2)、PZT(3)、标准具(4)、光阑(5)、第一波片(6)、第二波片(7)、偏振器(8)、衰减器(9)、介质膜偏振装置(10)、第二激光发射器(11)、耦合器(12)、第三波片(13)、第二Q开关(14)、发生器(15)、滤光片(16)和干涉仪(17),所述第一激光发射器(1)两侧分别设置第一Q开关(2)和PZT(3),所述第二激光发射器(11)两侧分别设置介质膜偏振装置(10)和耦合器(12)。本实用新型提供的注入锁定Q开关高功率单纵模激光器采用注入锁定来代替谐振腔内通常使用的谱选择元件成功地使Q开关高功率非稳定谐振腔Nd:YAG振荡器实现单纵模工作,可以获得较高功率、带宽较宽的脉冲能量。

著录项

  • 公开/公告号CN204809637U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2015-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陈巧珍;

    申请/专利号CN201520410396.7

  • 发明设计人 陈巧珍;

    申请日2015-06-08

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 350211 福建省长乐市金峰镇三星村后墩32号

  • 入库时间 2022-08-22 00:56:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S3/11 授权公告日:20151125 终止日期:20160608 申请日:20150608

    专利权的终止

  • 2015-11-25

    授权

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