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用于制造电子构件的方法以及按照所述方法制造的电子构件

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摘要

对于具有GaAs半导体衬底（HS）的电子构件，在该GaAs半导体衬底的正面上构造有半导体器件（BE），并且在该GaAs半导体衬底的背面设有多层的背面金属化部（RM），提出了背面金属化部的层序列的一种有利构造，尤其是背面金属化部具有Au层作为粘附层。

著录项

公开/公告号CN102696104B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-05-18

原文格式PDF
申请/专利权人联合单片半导体有限公司;
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申请/专利号CN201080059283.7
发明设计人冈特·琼森;赫尔曼·斯蒂格劳尔;
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申请日2010-12-21
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人车文
地址德国乌尔姆
入库时间 2022-08-23 09:39:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-05-18

授权

授权
2012-11-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20101221

实质审查的生效
2012-09-26

公开

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