提高晶体生长速度的发热筒及晶体生长装置

摘要

本实用新型提供一种提高晶体生长速度的发热筒及晶体生长装置，发热筒包括石墨筒体，所述筒体下半部分与碳化硅原料对应部分的壁厚薄，且该部分的壁厚与石墨坩埚壁厚之和处于趋肤效应厚度范围之内，所述筒体上半部分的壁厚大于所述筒体下半部分的壁厚。本实用新型通过对发热筒上厚下薄的设计，来实现调控原料和籽晶处的温度，即可实现大幅提高原料区的温度，而籽晶处的温度基本保持不变，从而实现快速晶体生长所需要的大的温度梯度，提高晶体生长速度，实验重复性好，且极大的降低生产成本，同时解决了现有方法的杂质问题。