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公开/公告号CN204290034U
专利类型实用新型
公开/公告日2015-04-22
原文格式PDF
申请/专利权人 李德龙;
申请/专利号CN201420681459.8
发明设计人 李阳;李德龙;
申请日2014-11-10
分类号H01S5/183(20060101);H01S5/022(20060101);H01S5/024(20060101);
代理机构北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陈曦;王鹏丽
地址 100094 北京市海淀区西北旺屯佃工业区9号院1号楼3层
入库时间 2022-08-22 00:34:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-11-04
专利权的转移 IPC(主分类):H01S5/183 登记生效日:20151013 变更前: 变更后: 申请日:20141110
专利申请权、专利权的转移
2015-04-22
授权
机译: 基于VCSEL的高功率半导体激光器及其光学会聚方法
机译:采用高功率VCSEL激光器阵列的结构化加热,在未涂层铝中的地下缺陷的定位
机译:紧凑型高功率VCSEL阵列泵浦固态激光器
机译:用于光学互连的多波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列
机译:高功率高重复率VCSEL阵列侧泵浦脉冲蓝色激光器
机译:温度稳定,节能,高比特率980nm vcsels =温度稳定且节能为洪水比特率的980nm vcsels
机译:基于VCSEL的扫频光源用于低成本光学相干断层扫描
机译:高功率高效2D VCSEL阵列和自扫描1D VCSEL数组
机译:高功率VCsELs和二维VCsEL阵列的高级概念