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高速宽范围低转高双端输出电平转换电路

摘要

本实用新型涉及一种高速宽范围低转高双端输出电平转换电路,它包括依次串接于高压电源VDDH与参考地GND之间的交叉耦合PMOS晶体管对、分压模块及差分输入NMOS晶体管对;第一输入端及第一输入端经过第一输入反相器后得到的第二输入端;接于第一差分输入NMOS晶体管漏极与低压电源VDDL之间的第一快速上拉PMOS晶体管及接于第二差分输入NMOS晶体管漏极与低压电源VDDL之间的第二快速上拉PMOS晶体管;接于高压电源VDDH与第一输出端及第二输出端之间的加速单元。本实用新型有效扩宽了常用低转高电平转换电路的电平转换范围,在避免强上拉与强下拉之间竞争的同时,加速了电平上拉的速度,提升了转换速度。

著录项

  • 公开/公告号CN203851128U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2014-09-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南进芯电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201420240937.1

  • 发明设计人 黄嵩人;何龙;陈思园;陈迪平;

    申请日2014-05-13

  • 分类号H03K19/0185(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 410205 湖南省长沙市岳麓区高新开发区尖山路39号长沙中电软件园A1304

  • 入库时间 2022-08-22 00:17:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-09-24

    授权

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