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一种基于忆阻器的Duffing-van der Pol 振荡电路

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摘要

本实用新型涉及一种基于忆阻器的Duffing-van der Pol振荡电路，该电路包括：激励电源e(t)、电阻R、第一电容C

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-12-11

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03B5/32 授权公告日:20140723 终止日期:20171220 申请日:20131220

专利权的终止
2014-07-23

授权

授权

1. 一种基于忆阻器的Duffing-van der Pol振荡电路 [P] . 中国专利： CN103872986A . 2014-06-18
2. 一种基于忆阻器的Duffing‑van der Pol振荡电路 [P] . 中国专利： CN103872986B . 2017.10.20
3. METHOD FOR FORMING A memristor BASED ALLOY SOLID Si: Me and structure memristor BASED ALLOY SOLID Si: Me [P] . 俄罗斯专利： RU2012150774A . 2014-06-10

机译：形成基于忆阻器的合金固体Si：Me的方法和基于忆阻器的合金固体Si：Me的结构
4. a composition comprising, based on the dry weight of said composition, 10 to 70 by weight of one or more hydraulic binder and 20 to 85 by weight of one or more filler, hardened product, use of a composition and use of 0 .05 to 5 by weight, based on the amount of hydraulic binder, of at least one terpenoid alcohol by weight of one or more fillers [P] . BR112015002504A2 . 2017-07-04

机译：组合物，基于所述组合物的干重，其包含10至70重量％的一种或多种水硬性粘合剂和20至85重量％的一种或多种填料，硬化产品，组合物的用途和0的用途。基于水硬性粘结剂的量，以重量计，一种或多种填料中的至少一种萜类醇为05至5％（重量）
5. Memristor-based dividers using memristors-as-drivers (MAD) gates [P] . 美国专利： US10608639B2 . 2020-03-31

机译：使用忆阻器驱动器（MAD）门的基于忆阻器的分压器