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CD标准片和CDSEM设备监测结构

摘要

本实用新型提出了一种CD标准片和CDSEM设备监测结构,CD标准片用于监测CDSEM设备的性能,所述CD标准片结构包括具有预定线宽的待测掺杂条和重掺杂层,所述待测掺杂条形成于所述重掺杂层之上。将重掺杂层和待测掺杂条均重掺杂P元素,使待测掺杂条以及重掺杂层均能够导电,从而使残留在所述待测重掺杂条的电荷转移至别处,减少对空气中颗粒的吸附,避免碳积效应,提高所述CD标准片的使用寿命,减少更换CD标准片的频率,降低生产成本。

著录项

  • 公开/公告号CN203719640U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2014-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201320879170.2

  • 发明设计人 刘媛娜;

    申请日2013-12-27

  • 分类号G01B15/00(20060101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅;李时云

  • 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号

  • 入库时间 2022-08-22 00:11:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-07-16

    授权

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