首页> 中国专利> 一种氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其制备方法与在太阳能电池中的应用

一种氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其制备方法与在太阳能电池中的应用

摘要

本发明公开了一种氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其制备方法与在太阳能电池中的应用。氧化铟锡纳米线阵列复合材料,其包括生长在导电基底上的氧化铟锡纳米线阵列,所述氧化铟锡纳米线阵列上包裹有硫化亚铜纳米颗粒。本发明提供的制备方法包括如下步骤:(1)以金纳米颗粒为催化剂,通过化学气相沉积法,在所述导电基底上沉积生长所述氧化铟锡纳米线阵列;(2)通过化学浴沉积法,在所述氧化铟锡纳米线阵列上包覆CdS纳米颗粒;(3)通过离子交换法,将所述CdS纳米颗粒转化成Cu

著录项

  • 公开/公告号CN103617891B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院化学研究所;

    申请/专利号CN201310613182.5

  • 发明设计人 胡劲松;姜岩;宋卫国;

    申请日2013-11-27

  • 分类号

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人关畅

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北一街2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:39:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-27

    授权

    授权

  • 2014-04-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/042 申请日:20131127

    实质审查的生效

  • 2014-03-05

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号