公开/公告号CN203134806U
专利类型实用新型
公开/公告日2013-08-14
原文格式PDF
申请/专利号CN201320121934.1
申请日2013-03-18
分类号
代理机构北京市德权律师事务所;
代理人刘丽君
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
入库时间 2022-08-21 23:52:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-08-14
授权
授权
机译: DRAM单元配置具有连接线,该连接线电连接相邻行的两个选择晶体管的有源区,以形成用于两个沟槽电容器的公共端子区。
机译: DRAM单元配置具有连接线,该连接线电连接相邻行的两个选择晶体管的有源区,以形成用于两个沟槽电容器的公共端子区。
机译: 半导体器件中的金属线形成方法,包括执行蚀刻工艺以形成金属熔丝,该金属熔丝的一侧连接到金属线,另一侧连接到衬底,并且将金属线和金属熔丝电隔离。