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一种再布线热增强型FCQFN封装器件

摘要

本实用新型公开了一种再布线热增强型FCQFN封装器件。在再布线热增强型FCQFN封装器件中,IC芯片通过焊接材料倒装焊接在第一金属材料层上,通过将IC芯片背面裸露在外部环境中、在IC芯片上方配置散热片或者在IC芯片下方配置导热片以提升封装器件的散热性能,绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间、以及引脚与引脚之间,引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接,第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面,采用塑封材料进行包封。本实用新型采用的再布线层可使封装器件的尺寸大幅减小,降低了制造成本,提升了封装器件的良率和可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN203055893U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201220699914.8

  • 申请日2012-12-17

  • 分类号

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘萍

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-21 23:50:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-02-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L23/31 授权公告日:20130710 终止日期:20131217 申请日:20121217

    专利权的终止

  • 2013-07-10

    授权

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