首页> 中国专利> 一种低电压下具电源纹波抑制的带隙基准电路

一种低电压下具电源纹波抑制的带隙基准电路

摘要

本实用新型提供了一种低电压下具电源纹波抑制的带隙基准电路,包括:连接在一起的第一PMOS管与第二PMOS管的栅极,分别与放大器的输出端和第三PMOS管的栅极相连,第一PMOS管的漏极与该放大器的负输入端连接,第二PMOS管的漏极与该放大器的正输入端连接,第一PMOS管和第二PMOS管各自的源极分别作为基准电流的输入端,第三PMOS管的源极作为基准电压的电源输入端,该第三PMOS管的漏极作为基准电压的输出端。本实用新型能够在不提高电源电压、不增加芯片尺寸以及不影响稳定性的前提下提升低电压下对大电源纹波非常强的抑制能力。

著录项

  • 公开/公告号CN203025599U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大唐微电子技术有限公司;

    申请/专利号CN201220661777.9

  • 发明设计人 耿靖斌;孔阳阳;董晓敏;

    申请日2012-12-04

  • 分类号

  • 代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司;

  • 代理人栗若木

  • 地址 100094 北京市海淀区永嘉北路6号

  • 入库时间 2022-08-21 23:49:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-06-26

    授权

    授权

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号