应用于驱动功率MOSFET半桥的集成电路结构

摘要

本实用新型涉及一种应用于驱动功率MOSFET半桥的集成电路结构，属于电路结构技术领域。该驱动集成电路结构包括电源模块、功率MOSFET半桥上管驱动电路模块和功率MOSFET半桥下管驱动电路模块，功率MOSFET半桥上管驱动电路模块和功率MOSFET半桥下管驱动电路模块的输入端分别为功率MOSFET半桥上管和功率MOSFET半桥下管的控制信号输入端，电源模块包括分别连接所述的功率MOSFET半桥上管驱动电路模块和功率MOSFET半桥下管驱动电路模块的电流源输出端和电压源输出端。该集成电路结构利用通用的双极集成电路制造工艺设计，有效解决了分立器件驱动电路占用PCB板面积大，电路复杂，安装调试不方便等问题，并内置死区时间控制和上下管信号互锁功能，且制造成本低廉，应用范围也较为广泛。