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公开/公告号CN202781470U
专利类型实用新型
公开/公告日2013-03-13
原文格式PDF
申请/专利权人 昆明冶研新材料股份有限公司;
申请/专利号CN201220378703.4
发明设计人 李昆;亢若谷;马启坤;王云坤;史冰川;和金生;吕维基;罗以顺;段鑫;黄磊;
申请日2012-07-31
分类号
代理机构昆明今威专利商标代理有限公司;
代理人赛晓刚
地址 655011 云南省曲靖市经济技术开发区南海新区
入库时间 2022-08-21 23:43:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-09-21
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B28D5/02 授权公告日:20130313 终止日期:20150731 申请日:20120731
专利权的终止
2013-03-13
授权
机译: 用于将硅切成种子棒的锯,用于化学气相沉积多晶硅反应器
机译:低温低压化学气相沉积生长多晶硅的原位准分子激光退火:金属扩散对薄膜形貌和生长速率的影响
机译:氢对热线化学气相沉积法多晶硅低温外延生长的影响
机译:沉积温度和压力对化学气相沉积生长的硼掺杂多晶硅Si 13 SUB> Ge 87 SUB>薄膜结构和电性能的影响
机译:通过反应热化学气相沉积,低温生长富含含硅含硅膜的多晶硅膜
机译:通过热线化学气相沉积在低温下在多晶硅籽晶层上外延生长硅。
机译:多晶硅法的合成与表征多晶硅氧化物纳米粒子及其在废水中重金属修复的应用
机译:通过热线化学气相沉积法生长的多晶硅膜中的应力测量
机译:用于低成本太阳能电池的薄膜多晶硅的化学气相沉积。 1980年2月2日至1980年5月2日第三季度技术进步报告