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超高亮度发光二极管

摘要

本实用新型提供了一种超高亮度发光二极管,解决了上述AlInGaP四元系LED结构中亮度与电性难以同时兼顾的问题。一种超高亮度发光二极管,包括:导电基板,其具有两个主表面;反射层,形成于所述导电基板的第一主表面上;p-GaP窗口层,形成于所述反射层之上,其厚度小于或等2um;p型限制层,形成于所述p-GaP窗口层之上;发光层,形成于所述p型限制层之上;n型限制层,形成于所述发光层之上;n电极,形成于所述n型限制层之上;p电极,形成于所述导电基板的第二主表面上。

著录项

  • 公开/公告号CN202758926U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-02-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津三安光电有限公司;

    申请/专利号CN201220401044.1

  • 发明设计人 戴菁甫;张君逸;界晓菲;

    申请日2012-08-14

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300384 天津市滨海新区华苑产业区海泰南道20号

  • 入库时间 2022-08-21 23:42:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-02-27

    授权

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