退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN202737452U
专利类型实用新型
公开/公告日2013-02-13
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201120288558.6
发明设计人 C·P·莫扎克;V·齐亚;
申请日2011-06-24
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-21 23:42:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H02H9/00 授权公告日:20130213 终止日期:20180624 申请日:20110624
专利权的终止
2013-02-13
授权
机译: 静电放电(ESD)保护结构,利用地板计划设计来保护集成电路不受ESD事件影响,以及相关的集成电路和ESD保护方法
机译: 从静电放电中保护供电节点的方法,装置和系统
机译:现在开始营业... WWW.simco-static.com,第一个为静电控制产品,卷筒纸和薄片清洁设备以及静电充电系统提供电子商务的网站
机译:绝缘体上硅(SOI)CMOS技术中的静电放电(ESD)保护,具有高级微处理器半导体芯片中的铝和铜互连
机译:授予静电放电保护装置和静电放电保护电路专利
机译:技术发展和规模扩展对高引脚数高性能微处理器中的静电放电(ESD)保护的影响
机译:利用放射性同位素供电的自触发静电放电系统的射频脉冲信号发射机。
机译:保护听觉设备不受噪音影响
机译:FDSOI技术中创新的静电放电保护设备的设计,制造和特性
机译:保护电子爆炸装置(EED)和电子设备免受静电放电(EsD)危害