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一种用于MOCVD反应腔的气体流量控制装置

摘要

本实用新型提供一种用于MOCVD反应腔的气体流量控制装置,其用于在MOCVD工艺中控制MO气源所提供的气体分配到反应腔不同区域的流量,其特征在于,至少包括:第一通道以及第二通道,所述MO气源至少通过所述第一通道以及所述第二通道分别与反应腔的第一区域与第二区域联通,其中,所述第一通道上包括一个压力控制器(PC),其用于控制通过所述第一通道内的气体,所述第二通道上包括一个流量控制器(MFC),其用于控制通过所述第二通道内的气体。通过将压力控制器与流量控制器分别设置在不同通道上,实现对反应腔内不同区域气体流量的控制,从而使得反应腔中沉积的物质更加均匀。同时还可以有效地控制MO气源的压力。

著录项

  • 公开/公告号CN202359196U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2012-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中微半导体设备(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201120368151.4

  • 发明设计人 魏强;

    申请日2011-09-29

  • 分类号

  • 代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴世华

  • 地址 201201 上海市浦东新区泰华路188号

  • 入库时间 2022-08-21 23:32:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-09

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C16/455 变更前: 变更后: 申请日:20110929

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2012-08-01

    授权

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