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半导体器件测试系统脉冲大电流幅度校准装置

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摘要

本实用新型提出了一种半导体器件测试系统脉冲大电流幅度校准装置，其组成部分包括：NI PXI-1042主控机箱，NI PXI-4071高速数据采集单元、TDS320数字示波器、半导体器件测试系统专用测试适配器。目前能够解决通信领域内半导体器件测试系统脉冲大电流源幅度的校准。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-06-11

专利权的转移 IPC(主分类):G01R35/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20140519 申请日:20110803

专利申请权、专利权的转移
2012-05-02

授权

授权

1. 一种半导体器件测试系统脉冲大电流幅度校准装置 [P] . 中国专利： CN102323561A . 2012-01-18
2. 半导体分立器件测试系统脉冲电流校准装置及校准方法 [P] . 中国专利： CN107991640B . 2021.07.06
3. Electronic frequency generator for treatment of the blood with low frequency pulses is configured to generate square-shaped pulses at specific frequency and specific maximum current amplitude [P] . 德国专利： DE202004016376U1 . 2005-01-20

机译：用于治疗带有低频脉冲的血液的电子频率发生器配置为在特定频率和特定最大电流幅度下产生方形脉冲
4. Semiconductor device insertion and extraction stations and test chambers used in semiconductor device test systems and test systems [P] . 韩国专利： KR950004474A . 1995-02-18

机译：半导体器件测试系统和测试系统中使用的半导体器件插入和提取站以及测试室
5. Semiconductor memory device and erase method including changing erase pulse magnitude for a memory array [P] . 美国专利： US10580506B2 . 2020-03-03

机译：半导体存储器件和擦除方法，包括改变存储阵列的擦除脉冲幅度