法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H02N6/00 授权公告日:20110831 终止日期:20150128 申请日:20110128
专利权的终止
2011-08-31
授权
授权
机译: 用于对测试凹坑进行光学测量的测试凹坑测量系统,利用这样的测试凹坑测量系统对测试凹坑表面进行光学测量的方法以及这种测试凹坑测量系统的使用
机译: 用于半导体光刻的光学组件中的光学缺陷的干涉测量系统可以测试球形和非球形光学表面,并具有更高的灵敏度
机译: 在用于确定眼睛的折射的光学测量系统中使用的像差测量系统,具有用于在像差测量系统的像平面中对像差测量系统的物平面成像的成像光学器件。