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一种半导体型探头及包含该探头的非侵入式电压测量装置

摘要

本实用新型涉及一种半导体型探头及使用该探头的非侵入式电压测量装置,该半导体型探头采用将感应部件与采样部件集成在同一块半导体衬底上的结构设计,可以有效减小半导体探头的体积和重量,方便批量生产,其中采样部件采用“氧化层-金属电极-绝缘层-金属电极”的平行板型电容结构,具有电极面积大、高灵敏度、大量程以及良好的线性度,适合收集感应部件产生的感应电荷;感应部件由于外延层直接制作在半导体衬底上,外延层中的电荷仅仅是一个重新排布的过程,因此响应时间很快,本实用新型非侵入式电压测量装置还包括采样控制电路、信号处理电路、微处理器、数字显示器、第一采样开关和第二采样开关。

著录项

  • 公开/公告号CN201662590U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2010-12-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 航天时代电子技术股份有限公司;

    申请/专利号CN201020141941.4

  • 发明设计人 杨斌;杨子健;苑京立;郝长岭;

    申请日2010-03-26

  • 分类号

  • 代理机构中国航天科技专利中心;

  • 代理人范晓毅

  • 地址 100070 北京市丰台区南四环西路188号总部基地15区7号楼

  • 入库时间 2022-08-21 23:14:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R19/00 授权公告日:20101201 终止日期:20150326 申请日:20100326

    专利权的终止

  • 2010-12-01

    授权

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