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公开/公告号CN201648015U
专利类型实用新型
公开/公告日2010-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 兰州大学;
申请/专利号CN201020108177.0
发明设计人 刘伟生;章德玉;唐晓亮;张国林;
申请日2010-01-19
分类号
代理机构兰州振华专利代理有限责任公司;
代理人张晋
地址 730000 甘肃省兰州市天水南路222号
入库时间 2022-08-21 23:14:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-03-11
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G55/00 授权公告日:20101124 终止日期:20140119 申请日:20100119
专利权的终止
2010-11-24
授权
机译: 一种高纯钌溅射靶的制备方法。
机译: 制备高纯镧,高纯镧,包含高纯镧的溅射靶材以及包含高纯镧作为主要成分的金属栅膜的方法
机译:一种简单高效的高纯三氧化氢(HOOOH)制备
机译:一种在低温下制备具有磷灰石结构的纯且高结晶度纳米级镧系硅酸盐的简单通用方法
机译:某些中性钌-乙烯基络合物和一种新型的1,3-消除反应-手性钌的制备
机译:一种新方法制备的高纯Ti_2AIC粉末
机译:一种新的合成方法,用于制备一些新颖的烷基取代的钌,钨和rh的环状卡宾配合物。
机译:一种基于双核钌的水氧化催化剂:使用非纯配体骨架促进多电子反应
机译:一种同位素纯4He的制备装置
机译:一种用于制备超纯活性材料样品的悬浮熔化装置