公开/公告号CN201207608Y
专利类型
公开/公告日2009-03-11
原文格式PDF
申请/专利权人 宁波狮球微特电机有限公司;
申请/专利号CN200820087633.0
发明设计人 高耀杰;
申请日2008-05-20
分类号
代理机构宁波市鄞州甬致专利代理事务所;
代理人高辉
地址 315191 浙江省宁波市鄞州区姜山镇人民北路88号
入库时间 2022-08-21 23:02:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-07-09
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H02K17/06 授权公告日:20090311 终止日期:20130520 申请日:20080520
专利权的终止
2009-03-11
授权
授权
机译: 相变存储器双极阵列利用单个浅沟槽隔离为两个存储器阵列元件和一个双极基极触点创建单独的有源区域
机译: 利用单个浅沟槽隔离形成相变存储器双极阵列的方法,该方法用于为两个存储器阵列元件和一个双极基极触点创建单独的有源区域
机译: 具有减小的结电容的单多晶硅层,双极结晶体管的制造工艺