公开/公告号CN2886729Y
专利类型
公开/公告日2007-04-04
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州大华仪器制造有限公司;
申请/专利号CN200620102056.9
申请日2006-03-27
分类号
代理机构杭州九洲专利事务所有限公司;
代理人翁霁明
地址 311401 浙江省富阳市东山路23号
入库时间 2022-08-21 22:53:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-05-21
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G09B25/00 授权公告日:20070404 终止日期:20130327 申请日:20060327
专利权的终止
2007-04-04
授权
授权
机译: 等离子体反应堆的直流电压或通过强烈的静电等离子体围堵而在低压下产生的脉冲辉光放电以及这种反应堆的改进方法
机译: 通过直流辉光放电对材料进行等离子体蚀刻的基质清洁或沉积的方法和设备
机译: 利用直流辉光放电等离子体增强化学气相沉积的金刚石膜合成装置及其方法